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融合分子自组装与纳米印刷技术可令硬盘存储能力翻番

时期:2021-04-29 00:22 点击数:
本文摘要:WesternDigital集团旗下HGST1日宣布,已根据将结合self-assemblingmolecules(分子自装配)和nanoimprinting(纳米包装印刷)技术性,成功创设出有大规模密度高的移动存储设备,其magneticislands磁岛总宽仅有10nm,是现阶段电脑硬盘技术性的二倍,有望于将来多年内大幅度提高固态硬盘的存储密度,让单碟容积有望提升。

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WesternDigital集团旗下HGST1日宣布,已根据将结合self-assemblingmolecules(分子自装配)和nanoimprinting(纳米包装印刷)技术性,成功创设出有大规模密度高的移动存储设备,其magneticislands磁岛总宽仅有10nm,是现阶段电脑硬盘技术性的二倍,有望于将来多年内大幅度提高固态硬盘的存储密度,让单碟容积有望提升。  据HGST答复,新技术应用必须让magneticislands磁岛总宽只相当于约50个分子长,或是人们发丝的十万分之一。在其中,自装配分子用以的成键高聚物,为相互之间抵触的段组成的嵌段预聚物,表层上做为塑料薄膜镀层,高聚物开链的尺寸规定的行距,结合转换为模版的纳米印压,将纳米限度方式到一个处理芯片或硬盘基钢板的方式,令magneticislands磁岛总宽仅有10nm。  HGST还获得了路线地图,觉得怎样经济发展合理地托比较之下升到磁岛相对密度,必须用以一切传统式的光刻工艺以后会让硬盘尺寸更为小。

现阶段HGST试验室已检测出带其出色的载入速率和数据信息存留工作能力,拓展到全部电脑硬盘以后,将有望超出多达一万亿个磁岛,从而降低晶格常数物质(bit-patternedmedia)的成本费,并有望于将来多年内大大提高固态硬盘的存储密度。  除此之外,据HGSTResearch高级副总裁CurrieMunce答复,新起的自装配分子和纳米印压技术性将造成巨大的危害,使纳米生产制造沦落一个成本效益的方法,并降低在带磁磁盘驱动器上的数据信息相对密度。


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